新能源汽车行业热议“第三代半导体” | WNEVC 2020世界新能源汽车大会——“第三代半导体 SiC 技术应用”云峰会在线召开

来源:中国汽车工程学会

2020世界新能源汽车大会于9月27-30日在海南省海口市举办,本届大会由中国科协、海南省人民政府、科学技术部、工业和信息化部、国家市场监督管理总局联合主办,由中国汽车工程学会、中国电动汽车百人会、海南省工业和信息化厅、海南省科学技术协会和海口市人民政府承办。大会以“共克时艰、跨界协同、合作共赢”为主题,围绕新能源汽车可持续健康发展,电动化、智能化、共享化融合发展与跨界协同,科技变革与新能源汽车技术创新等议题展开研讨。

9月27日下午,以“第三代半导体 SiC 技术应用”为主题的云峰会成功在线上召开。会议围绕第三代宽禁带半导体SiC技术,聚焦前沿技术和产业发展,从芯片、模块、封装、材料、工艺、测试及其在电机控制器的应用等方面进行了讨论。

本次峰会由国家新能源汽车技术创新中心副总经理邹广才主持。

国家新能源汽车技术创新中心副总经理邹广才主持

清华大学微电子所长聘教授王燕首先对器件模型的类型进行了介绍,并针对SiC功率MOSFET器件模型的研究现状、存在问题等进行分析,同时对器件的不同建模方法中I–V特性表征的优缺点进行对比。另外,对于其带领的研究团队基于DataSheet紧凑模型建立方法所做的相关研究工作进行了详细介绍。

清华大学微电子所长聘教授王燕发表演讲

安徽大学特聘教授曹文平进行了题为“面向未来电动汽车的碳化硅IPM2.0技术”的演讲。介绍了其带领的研究团队在SiC智能功率模块技术(IPM2.0)方面的最新研究进展与成果,对其未来产业化落地充满期待。

安徽大学特聘教授曹文平发表演讲

中国科学院电工研究所研究员徐菊进行了题为“SiC电力电子模块热管理办法及封装材料发展趋势”的演讲。从热管理角度分析了影响电力电子模块可靠性的关键因素,对电力电子器件及模块的散热管理方法及封装趋势等进行介绍,并分享了电工所在热管理相关材料性能与工艺等方面的最新研究进展与成果。

中科院电工所研究员徐菊发表演讲

英国约克大学Reader胡义华对“碰撞后基于SiC芯片逆变器的电动汽车驱动系统高压泄放技术”进行了介绍。表示电动汽车碰撞后,针对电容和电机中的剩余能量使得母线维持在高压态的状况,可通过利用SiC逆变器高频高温特性及电机绕组实现低成本、高可靠性的放电来解决。同时,分享了其研究团队在绕组泄放方法方面的研究进展与成果。

英国约克大学Reader胡义华发表演讲

中国科学院微电子研究所副研究员许恒宇围绕“SiC芯片筛选评估技术”主题进行演讲。针对SiC芯片在材料、器件和工艺、功率模块等方面该如何进行筛选评估展开介绍,并分享了其研究团队在SiC芯片筛选研究方面的实践经验,提出了关于SiC芯片可靠性和器件筛选新的研究方向。

中科院微电子所副研究员许恒宇发表演讲

全球能源互联网研究院功率半导体所封装技术研究室原主任李现兵围绕“SiC半导体器件高温封装工艺与技术”主题进行分享。指出高温封装工艺及装备技术的开发与研究是实现SiC高温封装的关键技术之一,并重点针对SiC功率器件高温封装的需求、面临的挑战、工艺与技术发展等方面进行探讨。

全球能源互联网研究院功率半导体所封装技术研究室原主任李现兵发表演讲

《High Temperature Electronics》作者,私人顾问Randall Kirschman针对“高温封装用灌封胶”进行分享。介绍了温度范围为+200至+600摄氏度的高温功率电子设备的组装和包装技术现状及未来发展趋势。

《High Temperature Electronics》作者,私人顾问Randall Kirschman发表演讲